U盤芯片也稱為閃存芯片，主要分為三種：SLC、MLC和TLC芯片。相信很多朋友還不知道這三種芯片有什么含義、特性及優(yōu)缺點，下面就為大家簡單介紹一下SLC、MLC和TLC這三種芯片以及它們之間的對比。

　　一、SLC、MLC和TLC三代閃存的含義介紹：

　　SLC芯片詳細介紹

　　“SLC”英文全稱“Single-Level Cell”(即單層式儲存)，又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限于“Silicon efficiency”的問題，必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術。

　　MLC芯片詳細介紹

　　“MLC”英文全稱“Multi-Level Cell”(即多層式儲存)，又名“2bit/cell”，主要由東芝、Renesas、三星使用。英特爾(Intel)在1997年9月最先開發(fā)出MLC，它作用是將兩個單位的信息存入一個FloatingGate(閃存存儲單元中存放電荷的部分)，然后利用不同電位(Level)的電荷，通過內存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數(shù)據，數(shù)據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。

　　TLC芯片詳細介紹

　　“TLC”英文全稱“Triple-Level Cell”，又名“3bit/cell”，也有Flash廠商稱它為“8LC”，TLC芯片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

　　二、SLC、MLC和TLC三代閃存的特性介紹：

　　SLC特性：運轉和反應速度快，使用壽命長，價格也很貴，大概是“MLC”價格的三倍以上，大約十萬次寫入(擦寫)壽命。

　　MLC特性：運轉和反應速度一般、使用壽命一般，購買價格也一般，大約3000到10000次的寫入(擦寫)壽命。

　　TLC特性：它的運轉和反應速度最慢，使用的壽命也最短，而且價格也最便宜，大約500次的寫入(擦寫)壽命，到目前位置，還沒有哪個廠家能夠做到1000次寫入(擦寫)的。

　　閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，而不是讀出的次數(shù)，因為讀取對U盤芯片的壽命影響不大。

　　三、SLC、MLC和TLC三代閃存芯片壽命差異比較：

　　SLC閃存利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。

　　MLC閃存利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC(容量大了一倍，壽命縮短為1/10)。

　　TLC閃存利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC(容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20)。

　　四、SLC和MLC的缺點比較

　　MLC架構有不少缺點，首當其沖的是使用壽命比SLC要短，MLC架構只能夠承受1萬次的擦寫，而SLC架構卻可以承受10萬次的擦寫。

　　其次就是存取速度慢，在當前的技術條件下，MLC芯片理論上存取速度只能達到6MB左右，而SLC架構的存取速度要比MLC架構的存取速度快三倍以上呢!

　　還有就是MLC的電流消耗比SLC高，如果在同等使用條件下MLC跟SLC相比的話，MLC的電流消耗要比SLC的電流消耗多出百分之十五左右。

　　總結：雖然MLC跟SLC相比，MLC缺點要多，但在單顆芯片容量方面，當前MLC還是占據絕對優(yōu)勢的。因為MLC架構和成本都占有絕對優(yōu)勢，能夠滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。

　　看了上面這么多的內容現(xiàn)在相信大家都了解了SLC、TLC和MLC的區(qū)別了吧?說了這么多大家一定還是想知道究竟這三種U盤芯片究竟哪個最好，其實這個問題并沒有準確答案，這三種主流U盤芯片各有其特點，對于普通使用U盤的用戶來說，影響不是太大，只要我們注意購買時不要買到假貨就行了。